| RoHS (Union Européenne) | Compliant with Exemption |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | EA |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Dual Quad Drain |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 80 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 9.4 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 15@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 8@4.5V|17@10V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 900@40V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 3200 |
| Temps de descente type (ns) | 7 |
| Temps de montée type (ns) | 40 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 20 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 10 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.05(Max) |
| Largeur du paquet | 5.9 |
| Longueur du paquet | 4.9 |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | DFN |
| Conditionnement du fournisseur | DFN EP |
| Décompte de broches | 8 |
