| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | 3A991d. |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8542.31.00.60 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Nom de famille | LatticeXP2 |
| Technologie de traitement | 90nm |
| Nombre maximal d'E/S d'utilisateur | 201 |
| Nombre de banques E/S | 8 |
| Tension d’alimentation type en fonctionnement (V) | 1.2 |
| Registres à décalage | Utilize LUT |
| Cellules logiques de l'appareil | 17000 |
| Nombre de multiplicateurs | 20 (18x18) |
| Type de mémoire programme | SRAM |
| Bits RAM (Kbit) | 276 |
| Nombre total de blocs RAM | 15 |
| Bits maximaux de RAM distribués | 35840 |
| Unités logiques du dispositif | 17000 |
| Nombre d'horloges globales | 8 |
| Numéro de dispositif des DLL/PLL | 4 |
| JTAG Support | Yes |
| DSP dédié | 5 |
| Programmabilité | No |
| Support de reprogrammabilité | Yes |
| Nombre d'entrées de table de conversion | 4 |
| Protection contre la copie | No |
| Programmabilité dans le système | No |
| Grade de vitesse | 6 |
| Accumulations de giga multiplicateurs par seconde | 6.5 |
| Accumulations de méga multiplicateurs par seconde | 6500 |
| Standards de différentiel E/S supporté | LVCMOS |
| Paires E/S différentielles maximales | 77 |
| Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V) | 1.14 |
| Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V) | 1.26 |
| Tension E/S (V) | 1.2|1.5|1.8|2.5|3.3 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 100 |
| Échelle de température du fournisseur | Industrial |
| Emballage | Tray |
| Nom commercial | LatticeXP |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.25(Max) |
| Largeur du paquet | 17 |
| Longueur du paquet | 17 |
| Carte électronique changée | 256 |
| Nom de lemballage standard | BGA |
| Conditionnement du fournisseur | FTBGA |
| Décompte de broches | 256 |
| Forme de sonde | Ball |
