| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Nom de famille | LatticeECP3E |
| Technologie de traitement | 65nm |
| Nombre maximal d'E/S d'utilisateur | 133 |
| Nombre de banques E/S | 7 |
| Tension d’alimentation type en fonctionnement (V) | 1.2 |
| Cellules logiques de l'appareil | 17000 |
| Nombre de multiplicateurs | 24 (18x18) |
| Type de mémoire programme | SRAM |
| Bits RAM (Kbit) | 700 |
| Nombre total de blocs RAM | 38 |
| Bits maximaux de RAM distribués | 36864 |
| Nombre maximal de canaux SERDES | 4 |
| Unités logiques du dispositif | 17000 |
| Nombre d'horloges globales | 16 |
| Numéro de dispositif des DLL/PLL | 2+2 |
| Maximum Supply Current (mA) | 49.4 |
| JTAG Support | Yes |
| DSP dédié | 12 |
| Programmabilité | Yes |
| Support de reprogrammabilité | No |
| Protection contre la copie | No |
| Programmabilité dans le système | No |
| Grade de vitesse | 6 |
| Standards de différentiel E/S supporté | LVCMOS |
| E/S Standards à mécanique unique prises en charge | LVTTL|LVCMOS |
| Performance E/S maximale | 3.2Gbps |
| Interface de mémoire externe | DDR SDRAM|DDR2 SDRAM|DDR3 SDRAM |
| Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V) | 1.14 |
| Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V) | 1.26 |
| Tension E/S (V) | 1.2|1.5|1.8|2.5|3.3 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | 0 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 85 |
| Échelle de température du fournisseur | Commercial |
| Nom commercial | LatticeEC |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.1 |
| Largeur du paquet | 17 |
| Longueur du paquet | 17 |
| Carte électronique changée | 256 |
| Nom de lemballage standard | BGA |
| Conditionnement du fournisseur | FTBGA |
| Décompte de broches | 256 |
| Forme de sonde | Ball |
