| RoHS (Union Européenne) | Not Compliant |
| ECCN (États-Unis) | 3A001a.1.c. |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | P |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 100 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 18 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 220@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 60(Max)@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 60(Max) |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 1400@25V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 125000 |
| Temps de descente type (ns) | 65(Max) |
| Temps de montée type (ns) | 85(Max) |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 85(Max) |
| Délai type de mise en marche (ns) | 35(Max) |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Échelle de température du fournisseur | Military |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 3.58(Max) mm |
| Largeur du paquet | 16(Max) mm |
| Longueur du paquet | 11.55(Max) mm |
| Carte électronique changée | 3 |
| Conditionnement du fournisseur | SMD-1 |
| Décompte de broches | 3 |
