| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | NRND |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 55 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 64 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 13@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 37@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 37 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 1420@25V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 130000 |
| Temps de descente type (ns) | 30 |
| Temps de montée type (ns) | 52 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 37 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 19 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 2.4(Max) mm |
| Largeur du paquet | 6.22(Max) mm |
| Longueur du paquet | 6.73(Max) mm |
| Carte électronique changée | 2 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | DPAK |
| Décompte de broches | 3 |
