| RoHS (Union Européenne) | Compliant with Exemption |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Technologie de traitement | GigaMOS |
| Configuration | Single Dual Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 55 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 550 |
| RĂ©sistance maximale de source de drainage (mOhm) | 1.3@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 595@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 595 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 40@25V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 940000 |
| Temps de descente type (ns) | 230 |
| Temps de montée type (ns) | 40 |
| DĂ©lai type de mise Ă l'arrĂŞt (ns) | 90 |
| DĂ©lai type de mise en marche (ns) | 45 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Installation | Screw |
| Largeur du paquet | 25.42(Max) |
| Longueur du paquet | 38.23(Max) |
| Carte électronique changée | 4 |
| Nom de lemballage standard | SOT |
| Conditionnement du fournisseur | SOT-227B |
| DĂ©compte de broches | 4 |
