| RoHS (Union Européenne) | Compliant with Exemption |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single Dual Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | P |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 500 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 40 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 230@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 205@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 205 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 11500@25V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 890000 |
| Temps de descente type (ns) | 34 |
| Temps de montée type (ns) | 59 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 90 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 37 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Installation | Screw |
| Largeur du paquet | 25.42(Max) |
| Longueur du paquet | 38.23(Max) |
| Carte électronique changée | 4 |
| Nom de lemballage standard | SOT |
| Conditionnement du fournisseur | SOT-227B |
| Décompte de broches | 4 |
