| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 1200 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±30 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 4.5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 1.4 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 5 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 13000@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 24.8@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 24.8 |
| Barrière type pour drainer la charge (nC) | 12.8 |
| Barrière type à la source de la charge (nC) | 4.4 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 666@25V |
| Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 7.6@25V |
| Tension seuil de barrière minimale (V) | 2.5 |
| Capacitance type de sortie (pF) | 36 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 86000 |
| Temps de descente type (ns) | 29 |
| Temps de montée type (ns) | 27 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 78 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 25 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm) | 10500@10V |
| Tension maximale de source barrière positive (V) | 30 |
| Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A) | 3 |
| Tension de plateau de barrière type (V) | 4.75 |
| Temps inverse de recouvrement type (ns) | 900 |
| Tension maximale directe de diode (V) | 1.5 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 4.83(Max) mm |
| Largeur du paquet | 9.65(Max) mm |
| Longueur du paquet | 10.29(Max) mm |
| Carte électronique changée | 2 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | D2PAK |
| Décompte de broches | 3 |
