IXYSIXGX120N60A3Puce IGBT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 780W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| N | |
| Single | |
| ±20 | |
| 600 | |
| 1.2 | |
| 200 | |
| 0.4 | |
| 780 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 21.34(Max) mm |
| Largeur du paquet | 5.21(Max) mm |
| Longueur du paquet | 16.13(Max) mm |
| Carte électronique changée | 3 |
| Onglet | Tab |
| Conditionnement du fournisseur | PLUS 247 |
| 3 | |
| Forme de sonde | Through Hole |
Use the IXGX120N60A3 IGBT transistor from Ixys Corporation as an electronic switch. Its maximum power dissipation is 780000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.
| EDA / CAD Models |
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