| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 500 | |
| ±30 | |
| 98 | |
| 50@10V | |
| 197@10V | |
| 197 | |
| 13100@25V | |
| 1300000 | |
| 6 | |
| 8 | |
| 65 | |
| 35 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 21.34(Max) mm |
| Largeur du paquet | 5.21(Max) mm |
| Longueur du paquet | 16.13(Max) mm |
| Carte électronique changée | 3 |
| Onglet | Tab |
| Conditionnement du fournisseur | PLUS 247 |
| 3 |
Make an effective common source amplifier using this IXFX98N50P3 power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 1300000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
| EDA / CAD Models |
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