| Compliant | |
| EAR99 | |
| Obsolete | |
| 8541.29.00.95 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 100 | |
| ±20 | |
| 7.2 | |
| 270@10V | |
| 16(Max)@10V | |
| 16(Max) | |
| 360@25V | |
| 37000 | |
| 20 | |
| 30 | |
| 19 | |
| 8.8 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 16.12(Max) |
| Largeur du paquet | 4.83(Max) |
| Longueur du paquet | 10.63(Max) |
| Carte électronique changée | 3 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-220 Full-Pak |
| 3 | |
| Forme de sonde | Through Hole |
Create an effective common drain amplifier using this IRFI520GPBF power MOSFET from Vishay. Its maximum power dissipation is 37000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.
| EDA / CAD Models |
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