| RoHS (Union Européenne) | Not Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 400 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 3 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 1100@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 34.75(Max)@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 34.75(Max) |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 620@25V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 25000 |
| Temps de descente type (ns) | 35(Max) |
| Temps de montée type (ns) | 35(Max) |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 55(Max) |
| Délai type de mise en marche (ns) | 30(Max) |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Diamètre | 9.39(Max) mm |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 4.57(Max) mm |
| Carte électronique changée | 3 |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-39 |
| Décompte de broches | 3 |
| Forme de sonde | Through Hole |
