| Compliant | |
| EAR99 | |
| Obsolete | |
| 8541.29.00.95 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 500 | |
| ±30 | |
| 8.7 | |
| 850@10V | |
| 15@10V | |
| 15 | |
| 527@100V | |
| 156000 | |
| 11 | |
| 16 | |
| 17 | |
| 13 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 9.01(Max) |
| Largeur du paquet | 4.65(Max) |
| Longueur du paquet | 10.51(Max) |
| Carte électronique changée | 3 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-220AB |
| 3 | |
| Forme de sonde | Through Hole |
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Vishay's IRF840BPBF power MOSFET. Its maximum power dissipation is 156000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
| EDA / CAD Models |
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