| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 30 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 2.35 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 9.1@Q1|11@Q2 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 1 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 16.4@10V@Q1|11.8@10V@Q2 |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 6.7@4.5V@Q1|14@4.5V@Q2 |
| Barrière type pour drainer la charge (nC) | 2.5@Q 1|4.9@Q 2 |
| Barrière type à la source de la charge (nC) | 1.3@Q 1|3@Q 2 |
| Charge de récupération inverse type (nC) | 4.1@Q 1|5.9@Q 2 |
| Charge de commutation type (nC) | 3.2@Q 1|6.2@Q 2 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 850@15V@Q1|1790@15V@Q2 |
| Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 88@15V@Q 1|190@15V@Q 2 |
| Tension seuil de barrière minimale (V) | 1.35 |
| Capacitance type de sortie (pF) | 190@Q1|390@Q2 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2000 |
| Temps de descente type (ns) | 3.4@Q 1|5.3@Q 2 |
| Temps de montée type (ns) | 9.3@Q 1|14@Q 2 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 8@Q 1|13@Q 2 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 6@Q 1|8@Q 2 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm) | 13.7@10V|17.1@4.5V@Q1|9.8@10V|11.5@4.5V@Q2 |
| Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A) | 76@Q 1|85@Q 2 |
| Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W) | 62.5 |
| Tension de plateau de barrière type (V) | 2.75@Q 1|2.8@Q 2 |
| Temps inverse de recouvrement type (ns) | 12@Q 1|16@Q 2 |
| Tension maximale directe de diode (V) | 1 |
| Tension seuil de barrière type (V) | 1.8 |
| Résistance de barrière maximale (Ohm) | 4.7@Q 1|5@Q 2 |
| Tension maximale de source barrière positive (V) | 20 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.38 |
| Largeur du paquet | 3.9 |
| Longueur du paquet | 4.9 |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | SO |
| Conditionnement du fournisseur | SOIC N |
| Décompte de broches | 8 |
| Forme de sonde | Gull-wing |
