Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 650 V, D2,Power88 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 650 V, D2, Power88
| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.10.00.80 | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Schottky Diode | |
| SiC | |
| Single Dual Anode | |
| 650 | |
| 13.5 | |
| 42 | |
| 1.7@10A | |
| 40 | |
| 424(Typ) | |
| 98000 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Tape and Reel | |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.05(Max) |
| Largeur du paquet | 8 |
| Longueur du paquet | 8 |
| Carte électronique changée | 4 |
| Nom de lemballage standard | QFN |
| Conditionnement du fournisseur | PQFN EP |
| 4 |
| EDA / CAD Models |
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