| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Obsolete |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | SiC |
| Configuration | Dual |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 1700 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 25 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 2.5(Typ) |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 325(Typ) |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 600 |
| IDSS maximal (uA) | 2000 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 10@20V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 1076@20V |
| Barrière type pour drainer la charge (nC) | 324 |
| Barrière type à la source de la charge (nC) | 273 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 20000@1000V |
| Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 80@1000V |
| Tension seuil de barrière minimale (V) | 1.8 |
| Capacitance type de sortie (pF) | 2500 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 1866000(Typ) |
| Temps de descente type (ns) | 56 |
| Temps de montée type (ns) | 72 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 211 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 105 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 125 |
| Échelle de température du fournisseur | Industrial |
| Emballage | Box |
| Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm) | 8@20V |
| Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A) | 900(Typ) |
| Tension type directe de diode (V) | 1.7 |
| Tension de plateau de barrière type (V) | 7 |
| Tension maximale directe de diode (V) | 2 |
| Tension seuil de barrière type (V) | 2.5 |
| Tension maximale de source barrière positive (V) | 25 |
| Installation | Screw |
| Hauteur du paquet | 30 |
| Largeur du paquet | 61.4 |
| Longueur du paquet | 106.4 |
| Carte électronique changée | 7 |
| Décompte de broches | 7 |
