| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | SiC |
| Configuration | Dual |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 1200 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 19 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 383(Typ) |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 4.6@15V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 1044@15V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 29000@800V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 980000(Typ) |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
