Infineon Technologies AGBSZ0901NSIATMA1MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| NRND | |
| 8541.29.00.55 | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single Quad Drain Triple Source | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 30 | |
| ±20 | |
| 2 | |
| 25 | |
| 100 | |
| 500 | |
| 2.1@10V | |
| 20@4.5V|41@10V | |
| 41 | |
| 2600@15V | |
| 2100 | |
| 4.6 | |
| 7.2 | |
| 27 | |
| 5 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Tape and Reel | |
| 1.8@10V|2.2@4.5V | |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1 mm |
| Largeur du paquet | 3.3 mm |
| Longueur du paquet | 3.3 mm |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | SON |
| Conditionnement du fournisseur | TSDSON EP |
| 8 | |
| Forme de sonde | No Lead |
| EDA / CAD Models |
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