| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | SiC |
| Configuration | Dual |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 1200 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 22 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 4 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 80 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 500 |
| IDSS maximal (uA) | 1200 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 8000@10V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 600000 |
| Temps de descente type (ns) | 40 |
| Temps de montée type (ns) | 30 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 80 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 20 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Emballage | Tray |
| Installation | Screw |
| Hauteur du paquet | 16 mm |
| Largeur du paquet | 45.6 mm |
| Longueur du paquet | 122 mm |
| Carte électronique changée | 10 |
| Décompte de broches | 10 |
