| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 300 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±30 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 4 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 40 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 25 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 85@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 130@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 130 |
| Barrière type pour drainer la charge (nC) | 55 |
| Barrière type à la source de la charge (nC) | 25 |
| Charge de récupération inverse type (nC) | 6000 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 4100@25V |
| Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 200@25V |
| Tension seuil de barrière minimale (V) | 2 |
| Capacitance type de sortie (pF) | 700 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 300000 |
| Temps de descente type (ns) | 7 |
| Temps de montée type (ns) | 10 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 43 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 12 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tube |
| Tension maximale de source barrière positive (V) | 30 |
| Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A) | 160 |
| Temps inverse de recouvrement type (ns) | 390 |
| Tension maximale directe de diode (V) | 1.3 |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 21.46(Max) |
| Largeur du paquet | 5.31(Max) |
| Longueur du paquet | 16.26(Max) |
| Carte électronique changée | 3 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-247 |
| Décompte de broches | 3 |
| Forme de sonde | Through Hole |
