| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 150 | |
| ±20 | |
| 3.4 | |
| 52 | |
| 100 | |
| 1 | |
| 16.5@10V | |
| 30.5@10V | |
| 30.5 | |
| 2388@75V | |
| 7400 | |
| 4.5 | |
| 3 | |
| 23 | |
| 11 | |
| -55 | |
| 150 | |
| 13.5@10V|14.8@6V | |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.95(Max) mm |
| Largeur du paquet | 5.55 mm |
| Longueur du paquet | 5.2 mm |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | DFN |
| Conditionnement du fournisseur | DFN EP |
| 8 | |
| Forme de sonde | No Lead |
Make an effective common source amplifier using this AON6250 power MOSFET from Alpha & Omega Semiconductor. Its maximum power dissipation is 104000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes tmos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
| EDA / CAD Models |
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