此新产品系列扩展了英飞凌的 CoolMOS™ 7 系列，涉及超高功率密度充电器、旅行适配器和低功率电机驱动器。600 V CoolMOS™ PFD7 具有快速开关、低传导损耗和振荡趋势降低所带来的所有效率优势，易于使用。
此应用说明描述了 600 V CoolMOS™ PFD7 的特性，这是英飞凌面向消费市场的最新 HV SJ MOSFET 技术，具有显著提高目标应用效率和易用性的特点。亮点特性包括高 ESD 鲁棒性、低振荡趋势和出色的体二极管鲁棒性，可抵御因硬换向而造成的破坏。
英飞凌 600 V CoolMOS™ PFD7 具有 600 V CoolMOS™ P7 的所有已知优势，此外还配备同类最佳的快速体二极管和专门针对谐振拓扑（ZVS 反激、有源钳位反激和 LLC）优化的开关特性。
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