onsemiNVHL160N120SC1MOSFETs
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 160 mΩ, 1200 V, M1, TO247−3L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 160 m?, TO247?3L
| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| SVHC | Yes |
| Tasso di SVHC superiore ai limiti consentiti | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Yes |
| Power MOSFET | |
| SiC | |
| Single | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 1200 | |
| 25 | |
| 4.3 | |
| 17 | |
| 1000 | |
| 100 | |
| 224@20V | |
| 34@20V | |
| 24 | |
| 665@800V | |
| 119000 | |
| 8 | |
| 19 | |
| 15 | |
| 11 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Automotive | |
| Tube | |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 20.57 mm |
| Package Width | 4.7 mm |
| Package Length | 15.62 mm |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-247 |
| 3 | |
| Lead Shape | Through Hole |
| EDA / CAD Models |
Sistemi di droni più intelligenti: dal progetto al decollo
Scarica la guida e dotati di tutti gli strumenti e strategie intelligenti per progettare i sistemi di droni del futuro: agili, efficienti e modulari.