Alimentez votre conception avec les familles OptiMOS™ 6 de Infineon

Infineon20 août 2024

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Technologie de pointe d'Infineon, performances excellentes et efficacité énergétique améliorée - pour un avenir durable !

La technologie OptiMOS™ d'Infineon a évolué au fil des années et a maintenant atteint sa sixième génération avec la série de MOSFET de puissance OptiMOS™ 6. Cette technologie avancée entraîne des améliorations significatives des pertes de commutation et de conduction, ainsi que des capacités de courant. Ces améliorations conduisent à des pertes systémiques réduites, une densité de puissance accrue, des températures de carte améliorées, et une fiabilité globale du système. En conséquence, les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 sont un choix idéal pour diverses applications, telles que les télécommunications, le solaire, les SMPS et les énergies renouvelables. Grâce à des améliorations remarquables de la résistance de conduction R_DS(on) et du facteur de qualité, ils sont également adaptés aux applications alimentées par batterie, y compris les outils électriques, les véhicules à basse vitesse, les drones, les robots et les applications de gestion de batterie. Pour répondre à vos exigences de conception individuelles, la série offre plusieurs options d'emballage, y compris PQFN 3.3x3.3, SuperSO8, D²PAK 3 broches, D²PAK 7 broches, TO-Leadless, sTOLL, TOLT, TOLG et TO-220.

Série MOSFET	Caractéristiques clés	Applications clés
OptiMOS™ 6 40 V	Ultra faible Q_G Faible R_DS(on) Pastilles exposées Disponible en commande de grille logique et normale Conforme RoHS	Applications alimentées par batterie Outils alimentés par batterie Gestion de batterie Commandes basse tension Outillage électrique
OptiMOS™ 6 100 V	Par rapport à la technologie OptiMOS™ 5 : Jusqu'à ~18% de R_DS(on) en moins 30% d'amélioration de FOM_get jusqu'à ~43% de meilleur FOM_gd Charge de récupération inverse plus faible et plus douce (Q_rr) Température de jonction de 175°C Amélioration de 130% du SOA Placage sans Pb et conforme RoHS	Serveur Télécom Solaire Systèmes de gestion de batterie
OptiMOS™ 6 120 V	R_DS(on) le plus faible de l'industrie en 120 V Meilleur équilibre entre les pertes de commutation et de conduction pour diverses applications R_DS(on) et FOM inférieurs là où 150 V n'est pas nécessaire Large offre de boîtiers : SMD pour PCBs FR4 et IMS, refroidissement par le dessus et THD Qualification industrielle et T_{j_max}= 175°C pour une meilleure gestion de la puissance et robustesse	Outils électriques et de jardinage Adaptateurs et chargeurs rapides Solaire Télécom Véhicules électriques légers
OptiMOS™ 6 135 V	Solution économique optimisée pour les entraînements de moteurs Comparé à la technologie OptiMOS™ 5 : Capacité de mise en parallèle améliorée grâce à une réduction de ~50% de la dispersion V_GS(th) Haute performance avec jusqu'à ~46% de R_DS(on) en moins Jusqu'à ~70% de charge de récupération inverse plus faible et plus douce (Q_rr)	Chariot élévateur eScooter Outil électrique et de jardinage UPS
OptiMOS™ 6 200 V	Comparé à la technologie précédente : 42% de R_DS(on) en moins 89% de Q_rr(typ) en moins Diode plus douce de plus de 3 fois Linéarité de la capacité améliorée SOA amélioré Placage sans Pb et conforme RoHS	E-Scooters Micro-EVs E-chariots élévateurs Outils de jardinage Entraînements servo Serveur Télécom Solaire; ESS SMPS industriel Audio

Lisez la nouvelle note d'application : La nouvelle famille OptiMOS™ 6 200 V de MOSFET - La dernière technologie trench MOSFET d'Infineon établissant le nouveau standard de l'industrie

La dernière technologie de tranchée MOSFET d'Infineon, qui profite d'un design de cellule révolutionnaire, est le tout nouveau OptiMOS™ 6 200 V. Il réunit les avantages d'une résistance à l'état passant R_DS(on) exceptionnellement basse, d'une faible récupération inverse de la diode et d'une performance de commutation supérieure. Ces caractéristiques font du OptiMOS™ 6 200 V le meilleur choix pour les applications à faible fréquence de commutation telles que les entraînements de moteur. Tout d'abord, la technologie est brièvement introduite, mettant en avant ses avantages techniques. Ensuite, une évaluation expérimentale approfondie compare le OptiMOS™ 6 200 V à la génération précédente des MOSFETs OptiMOS™ 3 200 V.

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