| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | SiC |
| Configuration | Single Hex Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 750 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 120 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 7.2@15V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 164@15V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 8374@400V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 1153000 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 2.3 |
| Largeur du paquet | 10.38 |
| Longueur du paquet | 9.9 |
| Carte électronique changée | 8 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | SO |
| Conditionnement du fournisseur | PDSO-F |
| Décompte de broches | 9 |
