| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | Si |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 100 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 66 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 11.5@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 12@4.5V|24@10V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 1425@50V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2670 |
| Temps de descente type (ns) | 6 |
| Temps de montée type (ns) | 6 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.85 mm |
| Largeur du paquet | 3.1 mm |
| Longueur du paquet | 3.1 mm |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | SON |
| Conditionnement du fournisseur | TSON Advance |
| Décompte de broches | 8 |
