| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | Si |
| Configuration | Dual |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 30 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 12 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 4 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 84@4.5V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 1.8@4.5V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 129@15V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2000 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.75(Max) mm |
| Largeur du paquet | 2 mm |
| Longueur du paquet | 2 mm |
| Carte électronique changée | 6 |
| Nom de lemballage standard | DFN |
| Conditionnement du fournisseur | UDFN-B EP |
| Décompte de broches | 6 |
