| Compliant | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 600 | |
| ±30 | |
| 4 | |
| 47 | |
| 1000 | |
| 1 | |
| 64@10V | |
| 148@10V | |
| 148 | |
| 4810@100V | |
| 357000 | |
| 82 | |
| 72 | |
| 93 | |
| 28 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Tube | |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 20.82(Max) |
| Largeur du paquet | 5.31(Max) |
| Longueur du paquet | 15.87(Max) |
| Carte électronique changée | 3 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-247AC |
| 3 | |
| Forme de sonde | Through Hole |
Increase the current or voltage in your circuit with this SIHG47N60E-E3 power MOSFET from Vishay. Its maximum power dissipation is 357000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
| EDA / CAD Models |
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