| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.55 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | P |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 20 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±8 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 10.3 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 9.8@4.5V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 63@4.5V|112@8V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 5875@10V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 1500 |
| Temps de descente type (ns) | 39 |
| Temps de montée type (ns) | 4 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 120 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 12 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1 |
| Largeur du paquet | 4.4 |
| Longueur du paquet | 3 |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | SO |
| Conditionnement du fournisseur | TSSOP |
| Décompte de broches | 8 |
