| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | LTB |
| Code HTS | 8541.49.70.80 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Type | Chip |
| Type de phototransistor | Phototransistor |
| Type de forme d'objectif | Domed |
| Matériau | Silicon |
| Nombre de canaux par puce | 1 |
| Polarité | NPN |
| Degrés d'angle à demi-intensité (°) | 24 |
| Orientation de visualisation | Top View |
| Crête de longueur d'onde (nm) | 860 |
| Temps de montée maximal (ns) | 8000/9000 |
| Temps de descente maximal (ns) | 8000/9000 |
| Courant de lumière maximal (uA) | 7200/11200 |
| Courant collecteur maximal (mA) | 15 |
| Courant d'obscurité maximal (nA) | 200 |
| Tension collecteur-émetteur maximale (V) | 35 |
| Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V) | 0.2 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 165 |
| Technologie de fabrication | NPN Transistor |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 100 |
| Diamètre | 4(Max) |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 5.2(Max) |
| Carte électronique changée | 2 |
| Conditionnement du fournisseur | T-1 |
| Décompte de broches | 2 |
| Forme de sonde | Through Hole |
