| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 60 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 12 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 30@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 4.9@6V|7.5@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 7.5 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 440@30V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 40000 |
| Temps de descente type (ns) | 4.7 |
| Temps de montée type (ns) | 6 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 24 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 9 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Échelle de température du fournisseur | Automotive |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.85(Max) |
| Largeur du paquet | 4(Max) |
| Longueur du paquet | 3.3(Max) |
| Carte électronique changée | 8 |
| Conditionnement du fournisseur | HSMT-AG EP |
| Décompte de broches | 8 |
