Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Power88
| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| SiC | |
| Single Triple Source | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 650 | |
| 22 | |
| -55 to 175 | |
| 55 | |
| 50@18V | |
| 105@18V | |
| 105 | |
| 1870@325V | |
| 187000 | |
| 7 | |
| 14 | |
| 26 | |
| 13 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Tape and Reel | |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.05(Max) |
| Largeur du paquet | 8 |
| Longueur du paquet | 8 |
| Carte électronique changée | 4 |
| Nom de lemballage standard | DFN |
| Conditionnement du fournisseur | TDFN EP |
| 4 |
| EDA / CAD Models |
Des systèmes de drones plus intelligents
Équipez-vous d'outils puissants et de stratégies intelligentes pour concevoir les systèmes de drones agiles, efficaces et modulaires de demain.