| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Depletion | |
| N | |
| 1 | |
| 200 | |
| ±20 | |
| 16(Min) | |
| 80@0V | |
| 208@5V | |
| 5500@25V | |
| 695000 | |
| 135 | |
| 130 | |
| 270 | |
| 46 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 5.1(Max) |
| Largeur du paquet | 14(Max) |
| Longueur du paquet | 16.05(Max) |
| Carte électronique changée | 2 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-268 |
| 3 |
Use Ixys Corporation's IXTT16N20D2 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 695000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in depletion mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
| EDA / CAD Models |
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