| Compliant | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.10.00.80 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Enhancement | |
| P | |
| 1 | |
| 100 | |
| ±20 | |
| 11 | |
| 200@10V | |
| 61(Max)@10V | |
| 61(Max) | |
| 1400@25V | |
| 48000 | |
| 86 | |
| 110 | |
| 51 | |
| 24 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 16.12(Max) |
| Largeur du paquet | 4.83(Max) |
| Longueur du paquet | 10.63(Max) |
| Carte électronique changée | 3 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-220FP |
| 3 | |
| Forme de sonde | Through Hole |
Make an effective common source amplifier using this IRFI9540GPBF power MOSFET from Vishay. Its maximum power dissipation is 48000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
| EDA / CAD Models |
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