| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 800 | |
| ±20 | |
| 4.1 | |
| 3000@10V | |
| 78(Max)@10V | |
| 78(Max) | |
| 1300@25V | |
| 125000 | |
| 30 | |
| 33 | |
| 82 | |
| 12 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 4.83(Max) mm |
| Largeur du paquet | 9.65(Max) mm |
| Longueur du paquet | 10.41(Max) mm |
| Carte électronique changée | 2 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | D2PAK |
| 3 |
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Vishay's IRFBE30SPBF power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 125000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
| EDA / CAD Models |
Des systèmes de drones plus intelligents
Équipez-vous d'outils puissants et de stratégies intelligentes pour concevoir les systèmes de drones agiles, efficaces et modulaires de demain.