| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Si | |
| Single | |
| Enhancement | |
| P | |
| 1 | |
| 60 | |
| ±20 | |
| 4 | |
| 6.7 | |
| 500@10V | |
| 12(Max)@10V | |
| 12(Max) | |
| 5.1(Max) | |
| 3.8(Max) | |
| 96 | |
| 270@25V | |
| 170 | |
| 3700 | |
| 31 | |
| 63 | |
| 10 | |
| 11 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 4.83(Max) |
| Largeur du paquet | 9.65(Max) |
| Longueur du paquet | 10.41(Max) |
| Carte électronique changée | 2 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | D2PAK |
| 3 | |
| Forme de sonde | Gull-wing |
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Vishay's IRF9Z14SPBF power MOSFET. Its maximum power dissipation is 3700 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
| EDA / CAD Models |
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