| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Obsolete |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | GaN |
| Configuration | Single Dual Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 650 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 7 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 30 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 63@6V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 6.1@6V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 242@400V |
| Temps de descente type (ns) | 5.2 |
| Temps de montée type (ns) | 3.7 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 8 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 4.1 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.5 |
| Largeur du paquet | 7 |
| Longueur du paquet | 8.4 |
| Carte électronique changée | 4 |
| Nom de lemballage standard | LGA |
| Conditionnement du fournisseur | ULGA |
| Décompte de broches | 4 |
