| RoHS (Union Européenne) | Compliant with Exemption |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | COMPONENTS |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | Si |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 60 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 3 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 25 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 1 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 2.5@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 54@4.5V|117@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 117 |
| Barrière type pour drainer la charge (nC) | 11.5 |
| Barrière type à la source de la charge (nC) | 26.6 |
| Charge de récupération inverse type (nC) | 84 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 9420@30V |
| Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 50@30V |
| Tension seuil de barrière minimale (V) | 1 |
| Capacitance type de sortie (pF) | 1470 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2500 |
| Temps de descente type (ns) | 7.8 |
| Temps de montée type (ns) | 16 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 63 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 27 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm) | 2.1@10V|2.9@4.5V |
| Dissipation de puissance maximale sur PCB @ TC=25°C (W) | 2.5 |
| Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A) | 799 |
| Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W) | 125 |
| Tension type directe de diode (V) | 0.79 |
| Tension de plateau de barrière type (V) | 2.9 |
| Temps inverse de recouvrement type (ns) | 54 |
| Tension maximale directe de diode (V) | 1.3 |
| Résistance de barrière minimale (Ohm) | 0.1 |
| Tension seuil de barrière type (V) | 1.8 |
| Résistance de barrière maximale (Ohm) | 3 |
| Tension maximale de source barrière positive (V) | 20 |
| Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A) | 25 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.05(Max) mm |
| Largeur du paquet | 5.8 mm |
| Longueur du paquet | 4.9 mm |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | QFN |
| Conditionnement du fournisseur | PQFN EP |
| Décompte de broches | 8 |
| Forme de sonde | No Lead |
