| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Obsolete |
| Code HTS | 8534.00.00.40 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 60 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 32 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 35@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 15@5V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 800@25V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 79000 |
| Temps de descente type (ns) | 110 |
| Temps de montée type (ns) | 210 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 60 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 15 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Installation | Through Hole |
| Carte électronique changée | 3 |
| Onglet | Tab |
| Décompte de broches | 3 |
