| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | NRND |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | SiC |
| Configuration | Dual |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 1200 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 25 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 4 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 498(Typ) |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 3600 |
| IDSS maximal (uA) | 2000 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 5.67@20V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 1025@20V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 19500@600V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 1786000(Typ) |
| Temps de descente type (ns) | 43 |
| Temps de montée type (ns) | 68 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 168 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 76 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Échelle de température du fournisseur | Industrial |
| Emballage | Box |
| Installation | Screw |
| Largeur du paquet | 61.4 mm |
| Longueur du paquet | 106.4 mm |
| Carte électronique changée | 7 |
| Décompte de broches | 7 |
