| Statut de pièce | Active |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 100 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 19 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 60@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 12@10V|6.5@5V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 731@25V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 50400 |
| Temps de descente type (ns) | 7.1 |
| Temps de montée type (ns) | 7.3 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 9.1 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 6.4 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Échelle de température du fournisseur | Automotive |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.9(Max) |
| Largeur du paquet | 2.6 |
| Longueur du paquet | 3.4(Max) |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | FPAK |
| Conditionnement du fournisseur | LFPAK EP |
| Décompte de broches | 8 |
