NXP SemiconductorsBFT25,215BJT FR
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
| Compliant | |
| EAR99 | |
| Obsolete | |
| 8541.21.00.75 | |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| NPN | |
| Single | |
| 1 | |
| 8 | |
| 5 | |
| <20 | |
| 2 | |
| 0.0065 | |
| 0.001 to 0.06 | |
| 50 | |
| 1V/1mA | |
| 20@10uA@1V|20@1mA@1V | |
| 2 to 30 | |
| 30 | |
| 18 | |
| 2300(Typ) | |
| 5.5(Typ) | |
| -65 | |
| 175 | |
| Tape and Reel | |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1(Max) mm |
| Largeur du paquet | 1.4(Max) mm |
| Longueur du paquet | 3(Max) mm |
| Carte électronique changée | 3 |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-236AB |
| 3 | |
| Forme de sonde | Gull-wing |
Your circuit will operate at higher RF frequencies with this BFT25,215 RF amplifier from NXP Semiconductors. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C.
| EDA / CAD Models |
Des dispositifs médicaux alimentés par l'IA
Livre blanc Arrow : conseils et informations sur l'IA pour la conception de solutions de diagnostic & thérapie rapides et sûres.