| Compliant | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.55 | |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Enhancement | |
| P | |
| 1 | |
| 20 | |
| ±8 | |
| 3 | |
| 80@4.5V | |
| 8.5@4.5V | |
| 560@10V | |
| 1400 | |
| 56 | |
| 36 | |
| 53 | |
| 7.2 | |
| -55 | |
| 150 | |
| 56@4.5V|70@2.5V|85@1.8V | |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1 mm |
| Largeur du paquet | 1.6 mm |
| Longueur du paquet | 2.9 mm |
| Carte électronique changée | 3 |
| Nom de lemballage standard | SOT |
| Conditionnement du fournisseur | SOT-23 |
| 3 | |
| Forme de sonde | Gull-wing |
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Alpha & Omega Semiconductor's AO3413 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 1400 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
| EDA / CAD Models |
Contrer efficacement les menaces des drones
Apprenez à combiner traitement intelligent, détection avancée et réponse rapide dans un système de défense unifié contre les drones.