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型号	价格	库存	供应商	类别	说明	Typical Operating Supply Voltage - (V)	Data Bus Width - (bit)	Organization	Maximum Clock Rate - (MHz)	Maximum Operating Temperature - (°C)	Minimum Operating Supply Voltage - (V)	Minimum Operating Temperature - (°C)	Number of Internal Banks	Address Bus Width - (bit)	ROHS	Pin Count	Number of Bits per Word - (bit)	Supplier Package	Type	Life Cycle	Density - (bit)	Number of Words per Bank	Maximum Access Time - (ns)	Packaging	Maximum Supply Current - (mA)	Maximum Operating Supply Voltage - (V)	Interface Type	Density in Bits - (bit)	Package Family Name

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数据手册共有 1 产品: 查看 NT5AD256M16E4-JRI	查看数据手册	不同的	Nanya Technology	DRAM 芯片	DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TFBGA	1.2	16	256Mx16	3200	95	1.14	-40	8	17	Yes	96	16	TFBGA	DDR4 SDRAM	Active	4G	32M	0.16		278	1.26		4294967296	BGA
NT5AD256M16E4-JRI DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TFBGA			Nanya Technology	DRAM 芯片	DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TFBGA	1.2	16	256Mx16	3200	95	1.14	-40	8	17	Yes	96	16	TFBGA	DDR4 SDRAM	Active	4G	32M	0.16		278	1.26		4294967296	BGA

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