Infineon Technologies AGIQE004NE1LM7CGSCATMA1MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
英飞凌推出行业首款采用全新系统和应用优化的OptiMOS™ 7 MOSFET技术的15V沟槽功率MOSFET。该产品系列包括PQFN 3.3x3.3源向下变种和PQFN 2x2，确保灵活和最佳的PCB设计。与当前OptiMOS™ 5 25V解决方案相比，该系列在RDS(on)和FOMQg方面均实现了令人印象深刻的30%和40%的降低，FOMQOSS方面的降低。先进的封装技术使得热管理变得简单，将功率密度和效率推向了新的水平。这些MOSFET最适用于高比DC-DC转换，实现在数据通信、服务器和人工智能应用中的高密度和高效的电源分配。
特点摘要
- • 新的 15V 沟槽功率 MOSFET 技术
- • 超低 RDS(on)
- • 出色的 FOMQOSS/FOMQg
- • 超低封装寄生参数
- • 中心栅印记
优势
- • 高比例 DC-DC 转换中的顶级适应性
- • 降低导通损耗
- • 高效率
- • 最佳的开关性能
- • 中心栅，实现理想的并联
潜在应用
- • SMPS
- • 服务器
- • 数据通信
- • 人工智能
相关产品
IQE004NE1LM7
IQE004NE1LM7CG
IQE004NE1LM7SC
ISK018NE1LM7
| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| SVHC | Yes |
| SVHC超标 | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single Quad Drain Quad Source | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 15 | |
| 7 | |
| -55 to 150 | |
| 58 | |
| 0.45@7V | |
| 29@4.5V | |
| 4800@7.5V | |
| 2100 | |
| 4 | |
| 2 | |
| 21 | |
| 9 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Tape and Reel | |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 0.7(Max) mm |
| Package Width | 3.4(Max) mm |
| Package Length | 3.4(Max) mm |
| PCB changed | 9 |
| Supplier Package | WHTFN EP |
| 9 |
| EDA / CAD Models |
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