| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.21.00.95 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 300 | |
| ±20 | |
| 5 | |
| 52 | |
| 100 | |
| 25 | |
| 73@10V | |
| 110@10V | |
| 110 | |
| 3490@25V | |
| 400000 | |
| 20 | |
| 22 | |
| 60 | |
| 24 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Mounting | Through Hole |
| Package Width | 4.9(Max) |
| Package Length | 15.8(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-3P |
| 3 | |
| Lead Shape | Through Hole |
This IXTQ52N30P power MOSFET from Ixys Corporation can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 400000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
| EDA / CAD Models |
AI 기반 의료기기 설계
Arrow의 최신 백서에서 진단 및 치료 솔루션을 더 빠르고 안전하게 개발할 수 있는 시스템 설계 팁, 부품 추천 및 AI 인사이트를 확인하세요.