MOSFET

TPS1100PW

Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.27A 8-Pin TSSOP Tube

Texas Instruments

製品技術仕様

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.21.00.95

• SVHC

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Small Signal

• Matériau

  Si

• Configuration

  Single Quad Drain Triple Source

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  P

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  15

• Tension minimale de source barrière (V)

  2

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  1.5

• Courant de drain continu maximal (A)

  1.27

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  400@4.5V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  5.45@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  5.45

• Barrière type pour drainer la charge (nC)

  1.4

• Barrière type à la source de la charge (nC)

  0.87

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  504

• Temps de descente type (ns)

  2

• Temps de montée type (ns)

  10

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  13

• Délai type de mise en marche (ns)

  4.5

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -40

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  125

• Emballage

  Tube

• Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)

  180@10V|291@4.5V|476@3V|606@2.7V

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1.05(Max)

• Largeur du paquet

  4.5(Max)

• Longueur du paquet

  3.1(Max)

• Carte électronique changée

  8

• Nom de lemballage standard

  SO

• Conditionnement du fournisseur

  TSSOP

• Décompte de broches

  8

• Forme de sonde

  Gull-wing