製品技術仕様
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.1
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
393
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
10
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
0.65@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
52@4.5V|110@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
110
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
7700@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3000
Typische Abfallzeit (ns)
10
Typische Anstiegszeit (ns)
12
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.95
Verpackungsbreite
5
Verpackungslänge
5
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOP Advance
Stiftanzahl
8
注文数量