製品技術仕様
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.29.00.55
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
Si
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
100
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
4
Courant de drain continu maximal (A)
33
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
10000
IDSS maximal (uA)
10
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
9.7@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
28@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
28
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
2050@10V
Dissipation de puissance maximale (mW)
125000
Temps de descente type (ns)
11.5
Temps de montée type (ns)
8.4
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Échelle de température du fournisseur
Automotive
Emballage
Tape and Reel
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
2.3
Largeur du paquet
5.5
Longueur du paquet
6.5
Carte électronique changée
2
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
DPAK+
Décompte de broches
3
Forme de sonde
Gull-wing