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MOSFET

STL24N60M6

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R

STMicroelectronics
データシート 

製品技術仕様
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single Triple Source
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    600
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±25
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    4.75
  • Courant de drain continu maximal (A)
    15
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    5000
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    209@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    23@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    23
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    960@100V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    109000
  • Temps de descente type (ns)
    9
  • Temps de montée type (ns)
    32
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    38.3
  • Délai type de mise en marche (ns)
    17.7
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Échelle de température du fournisseur
    Industrial
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.9(Max) mm
  • Largeur du paquet
    8 mm
  • Longueur du paquet
    8 mm
  • Carte électronique changée
    4
  • Conditionnement du fournisseur
    Power Flat EP
  • Décompte de broches
    4

ドキュメントとリソース

データシート
デザインリソース